電子研究所連德軒教授研究團隊與台積電共同成功克服超薄層半導體中閾值電壓(VT)調變的技術挑戰,引入光熱合併方法,並結合紫外線照射和氧氣退火技術,引領積體電路技術的全新發展方向。…
電子所連德軒教授開拓超薄層半導體閾值電壓調變新技術
- Post author:tsmccenter
- Post published:2023 年 10 月 16 日
- Post category:2023年
電子研究所連德軒教授研究團隊與台積電共同成功克服超薄層半導體中閾值電壓(VT)調變的技術挑戰,引入光熱合併方法,並結合紫外線照射和氧氣退火技術,引領積體電路技術的全新發展方向。…