時值半導體CMOS主流技術步入20奈米以下之新世代，加上異質材料整合半導體技術難度的提升，無論在先進製程技術及設計研發方面， 半導體技術發展皆面臨巨大的轉變。20奈米以後的CMOS元件如何達到國際ITRS技術藍圖，當元件繼續微縮面臨物理極限時， 各世界級公司及大學，現正思考研究下一世代的電晶體架構，其中有許多複雜的物理機制、化學機制及工程技術需要克服。

在時任交通大學校長吳妍華及前台積電孫元成技術長的努力下，「交大-台積電聯合研發中心」於102年5月20日由雙方簽署合作協議，並舉行揭幕儀式， 本研發中心於焉成立。本研發中心的使命正是鼓勵更多頂尖的博士級人才從事奈米電子相關的研究，克服電晶體微縮與異質材料整合的挑戰。本中心之研究計畫除將交通大學與加州大學柏克萊分校(UCB)在國科會支持下所設立的「國際頂尖異質整合綠色電子研究中心」之研究計畫全部或部分導入中心， 期能與台積電之技術藍圖產生互補效能外，另有由台積電百分之百贊助，跨工學院、電機學院、光電學院及理學院之研究案。