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-研究計畫-

R&D Programs

未來半導體關鍵技術研究中心

Future Semiconductor Technologies Research Center

計畫總主持人
胡正明 教授
國立陽明交通大學 國際半導體學院

在2030年代,全球需要Zetta級資料中心、每秒每瓦的AI能力達到Peta操作、6G和衛星通信的太赫茲通信,以及微型化及低損耗的電壓/功率轉換。這些代表了對半導體器件和電路在電晶體密度、性能、能效等方面無止境的需求,同時還要保持可負擔得起的成本。幸運的是,半導體產業以創新為基石,並且自75年前電晶體的發明以來,半導體技術一直在不斷演進。經過半世紀的努力與投入,台灣已成為一個半導體強國,並在全球半導體產業鏈中成為重要的合作夥伴。
未來積體電路技術必須朝更高效能、更低能耗、更高頻率方向發展,半導體技術僅藉由平面方式尺寸微縮已無法延續摩爾定律 (Moore’s Law),必須朝三維立體發展,並且在新結構、新材料與新製程上做突破。未來半導體技術發展已進入具有三維電晶體和存儲單元、三維和異質三維集成的3D 系統微縮時代。為維持台灣的競爭力,台灣的半導體技術必須持續精進,才能面對未來技術挑戰。

本計畫的目標是藉由對數項關鍵技術進行早期研發,克服技術瓶頸,協助臺灣產業推動半導體技術的發展,並培養臺灣的半導體人才和研究技能。我們針對新材料、新結構和新應用,提出了六個研究主題,研究旨在幫助保持臺灣在全球半導體供應鏈中的重要合作夥伴地位,協助台灣半導體產業研發瓶頸技術與培育創新人才,以在台灣社會衍生千億美元的經濟產值。

主題一

具有多功能通道和閘極的積體電路電晶體堆疊

主題二

鐵電氧化鉿鋯材料與元件

主題三

面向 2030 技術所需之 2D/1D 半導體元件

主題四

未來半導體封裝技術

主題五

三維高密度氧化物CMOS元件與應用

主題六

未來5G/6G衛星無縫通訊用高頻氮化鎵元件

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