本校電子研究所連德軒教授研究團隊,近期與台積電共同成功克服了超薄層半導體中閾值電壓(VT)調變的技術挑戰,在最新一項突破性的研究中,引入了光熱合併的方法,並結合了紫外線照射和氧氣退火技術,引領了積體電路技術的全新發展方向。
本校與台積電共同成功開拓超薄層半導體閾值電壓調變新技術
- Post author:tsmccenter
- Post published:2023 年 10 月 11 日
- Post category:2023年
本校電子研究所連德軒教授研究團隊,近期與台積電共同成功克服了超薄層半導體中閾值電壓(VT)調變的技術挑戰,在最新一項突破性的研究中,引入了光熱合併的方法,並結合了紫外線照射和氧氣退火技術,引領了積體電路技術的全新發展方向。